BG200B12UY3-I - аналоги и описание IGBT

 

BG200B12UY3-I - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: BG200B12UY3-I

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1041 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 91 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 7500 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для BG200B12UY3-I

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BG200B12UY3-I даташит

 ..1. Size:537K  cn byd
 bg200b12uy3-i.pdf pdf_icon

BG200B12UY3-I

BG200B12UY3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =200A CE C General Description Features BYD IGBT Power Module BG200B12UY3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc

Другие IGBT... DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , YGW60N65F1A1 , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR .

History: JT05N065FED | ISL9V3036S3S | STGB40H65FB | JT075N120F2MA1E | STGD5H60DF | NCE40TD60BP | BG100B12UX3-I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.