Справочник IGBT. BG200B12UY3-I

 

BG200B12UY3-I - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BG200B12UY3-I
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1041 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 91 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 7500 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1280 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для BG200B12UY3-I

 

 

BG200B12UY3-I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  cn byd
 bg200b12uy3-i.pdf

BG200B12UY3-I BG200B12UY3-I

BG200B12UY3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =200A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG200B12UY3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top