Справочник IGBT. BG200B12UY3-I

 

BG200B12UY3-I - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BG200B12UY3-I
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1041
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 91
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 7500
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 1280
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для BG200B12UY3-I

 

 

BG200B12UY3-I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  cn byd
 bg200b12uy3-i.pdf

BG200B12UY3-I BG200B12UY3-I

BG200B12UY3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =200A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG200B12UY3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc

Другие IGBT... DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , NGD8201N , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR .

 

 
Back to Top