Справочник IGBT. BG200B12UY3-I

 

BG200B12UY3-I Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BG200B12UY3-I
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1041 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 91 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 7500 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BG200B12UY3-I

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BG200B12UY3-I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  cn byd
 bg200b12uy3-i.pdf pdf_icon

BG200B12UY3-I

BG200B12UY3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. V =1200V I =200A CE CGeneral Description Features BYD IGBT Power Module BG200B12UY3-I provides fast High speed IGBT technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD Low inductanc

Другие IGBT... DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , IHW20N135R5 , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR .

History: AFGB40T65SQDN | DIM800FSM17-A | 1MBH50D-060

 

 
Back to Top

 


 
.