MPBW40N60BF Todos los transistores

 

MPBW40N60BF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBW40N60BF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 52 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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MPBW40N60BF datasheet

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MPBW40N60BF

MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -

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MPBW40N60BF

MPBW40N65E 650V-40A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW40N65E MP40N65E TO-247-3

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MPBW40N60BF

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