MPBW40N60BF - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

MPBW40N60BF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MPBW40N60BF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP40N60BF
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 165 nC
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MPBW40N60BF

MPBW40N60BF Datasheet (PDF)

..1. Size:605K cn marching-power
mpbw40n60bf.pdf

MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -

6.1. Size:994K cn marching-power
mpbw40n65e.pdf

MPBW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW40N65E MP40N65E TO-247-3

6.2. Size:719K cn marching-power
mpbw40n65bu.pdf