RGPR20NS43 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGPR20NS43
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 107 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 460 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
Encapsulados: LPDS
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RGPR20NS43 datasheet
rgpr20ns43.pdf
RGPR20NS43 430V 20A Ignition IGBT Datasheet lOutline LPDS (TO-263S) BVCES 430 30V (2) IC 20A (1) VCE(sat) (Typ.) 1.6V (3) EAS 250mJ lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Self-Clamped Inductive Switching Energy (2) Collector (1) 3) Built in Gate-Emitter Protection Diode (3) Emitter 4) Built in Gate-Emitter Res
Otros transistores... BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , GT45F122 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F .
History: JT015N065CED
History: JT015N065CED
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