RGPR20NS43 Todos los transistores

 

RGPR20NS43 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGPR20NS43
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 107
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 460
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 3.1
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 180
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 175
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 14
   Paquete / Cubierta: LPDS

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RGPR20NS43 Datasheet (PDF)

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rgpr20ns43.pdf

RGPR20NS43 RGPR20NS43

RGPR20NS43 430V 20A Ignition IGBT DatasheetlOutlineLPDS (TO-263S)BVCES43030V(2) IC20A(1) VCE(sat) (Typ.)1.6V(3) EAS250mJlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Self-Clamped Inductive Switching Energy(2) Collector (1) 3) Built in Gate-Emitter Protection Diode (3) Emitter 4) Built in Gate-Emitter Res

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