RGPR20NS43 Todos los transistores

 

RGPR20NS43 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGPR20NS43
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 107 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 460 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 3.1 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 14 nC
   Paquete / Cubierta: LPDS
 

 Búsqueda de reemplazo de RGPR20NS43 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RGPR20NS43 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  rohm
 rgpr20ns43.pdf pdf_icon

RGPR20NS43

RGPR20NS43 430V 20A Ignition IGBT DatasheetlOutlineLPDS (TO-263S)BVCES43030V(2) IC20A(1) VCE(sat) (Typ.)1.6V(3) EAS250mJlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Self-Clamped Inductive Switching Energy(2) Collector (1) 3) Built in Gate-Emitter Protection Diode (3) Emitter 4) Built in Gate-Emitter Res

Otros transistores... BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , IKW30N60H3 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F .

History: IXEN60N120D1 | MMG100DR120B

 

 
Back to Top

 


 
.