RGPR20NS43 - аналоги и описание IGBT

 

RGPR20NS43 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RGPR20NS43

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 460 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF

Тип корпуса: LPDS

 Аналог (замена) для RGPR20NS43

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGPR20NS43 даташит

 ..1. Size:541K  rohm
 rgpr20ns43.pdf pdf_icon

RGPR20NS43

RGPR20NS43 430V 20A Ignition IGBT Datasheet lOutline LPDS (TO-263S) BVCES 430 30V (2) IC 20A (1) VCE(sat) (Typ.) 1.6V (3) EAS 250mJ lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Self-Clamped Inductive Switching Energy (2) Collector (1) 3) Built in Gate-Emitter Protection Diode (3) Emitter 4) Built in Gate-Emitter Res

Другие IGBT... BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , GT45F122 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.