Справочник IGBT. RGPR20NS43

 

RGPR20NS43 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGPR20NS43
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 107
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 460
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 3.1
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 180
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 175
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 14
   Тип корпуса: LPDS

 Аналог (замена) для RGPR20NS43

 

 

RGPR20NS43 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  rohm
 rgpr20ns43.pdf

RGPR20NS43 RGPR20NS43

RGPR20NS43 430V 20A Ignition IGBT DatasheetlOutlineLPDS (TO-263S)BVCES43030V(2) IC20A(1) VCE(sat) (Typ.)1.6V(3) EAS250mJlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Self-Clamped Inductive Switching Energy(2) Collector (1) 3) Built in Gate-Emitter Protection Diode (3) Emitter 4) Built in Gate-Emitter Res

Другие IGBT... BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , GT45F122 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F .

 

 
Back to Top