Справочник IGBT. RGPR20NS43

 

RGPR20NS43 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGPR20NS43
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 460 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.1 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 14 nC
   Тип корпуса: LPDS

 Аналог (замена) для RGPR20NS43

 

 

RGPR20NS43 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  rohm
 rgpr20ns43.pdf

RGPR20NS43 RGPR20NS43

RGPR20NS43 430V 20A Ignition IGBT DatasheetlOutlineLPDS (TO-263S)BVCES43030V(2) IC20A(1) VCE(sat) (Typ.)1.6V(3) EAS250mJlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Self-Clamped Inductive Switching Energy(2) Collector (1) 3) Built in Gate-Emitter Protection Diode (3) Emitter 4) Built in Gate-Emitter Res

Другие IGBT... BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , CRG60T60AK3HD , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F .

 

 
Back to Top