Справочник IGBT. RGPR20NS43

 

RGPR20NS43 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGPR20NS43
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 460 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.1 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 14 nC
   Тип корпуса: LPDS
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RGPR20NS43 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  rohm
 rgpr20ns43.pdf pdf_icon

RGPR20NS43

RGPR20NS43 430V 20A Ignition IGBT DatasheetlOutlineLPDS (TO-263S)BVCES43030V(2) IC20A(1) VCE(sat) (Typ.)1.6V(3) EAS250mJlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Self-Clamped Inductive Switching Energy(2) Collector (1) 3) Built in Gate-Emitter Protection Diode (3) Emitter 4) Built in Gate-Emitter Res

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SGP23N60UF

 

 
Back to Top

 


 
.