RGT80TS65DGC13 Todos los transistores

 

RGT80TS65DGC13 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RGT80TS65DGC13

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 234 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 56 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 87 pF

Encapsulados: TO247

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RGT80TS65DGC13 datasheet

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RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13 650V 40A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-247GE VCES 650V IC(100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 234W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built in F

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RGT80TS65DGC13

RGT80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 234W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built i

Otros transistores... MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , SGP30N60 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK , BT60T60ANFK .

History: STGD10HF60KD | MPFF100R12RB | IXXH75N60C3

 

 

 

 

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