RGT80TS65DGC13 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RGT80TS65DGC13
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для RGT80TS65DGC13
RGT80TS65DGC13 Datasheet (PDF)
rgt80ts65dgc13.pdf

RGT80TS65DGC13 650V 40A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-247GEVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD234W(1)(2)(3)lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built in F
rgt80ts65d.pdf

RGT80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD234W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i
Другие IGBT... MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , IRGP4066D , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK , BT60T60ANFK .
History: IRGP4063PBF
History: IRGP4063PBF



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet