RGT80TS65DGC13 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RGT80TS65DGC13  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RGT80TS65DGC13

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT80TS65DGC13 даташит

 ..1. Size:4695K  rohm
 rgt80ts65dgc13.pdf pdf_icon

RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13 650V 40A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-247GE VCES 650V IC(100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 234W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built in F

 4.1. Size:751K  rohm
 rgt80ts65d.pdf pdf_icon

RGT80TS65DGC13

RGT80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 234W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built i

Другие IGBT... MPBW40N65BH, MPFF100R12RB, MPFF50R12RB, MPFF75R12RB, RGPR20NS43, RGS80TSX2DHR, RGT50NL65D, RGT50NS65D, IRG7IC28U, RGTH60TS65DGC13, BT15T120CNR, BT15T60A8F, BT15T60A9F, BT25T120CKR, BT40T120CKF, BT50T60ANFK, BT60T60ANFK