Справочник IGBT. RGT80TS65DGC13

 

RGT80TS65DGC13 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT80TS65DGC13
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 234
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 70
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 56
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 87
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 79
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RGT80TS65DGC13

 

 

RGT80TS65DGC13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4695K  rohm
 rgt80ts65dgc13.pdf

RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13 650V 40A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-247GEVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD234W(1)(2)(3)lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built in F

 4.1. Size:751K  rohm
 rgt80ts65d.pdf

RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13

RGT80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD234W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top