Справочник IGBT. RGT80TS65DGC13

 

RGT80TS65DGC13 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT80TS65DGC13
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 79 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RGT80TS65DGC13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4695K  rohm
 rgt80ts65dgc13.pdf pdf_icon

RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13 650V 40A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-247GEVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD234W(1)(2)(3)lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built in F

 4.1. Size:751K  rohm
 rgt80ts65d.pdf pdf_icon

RGT80TS65DGC13

RGT80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD234W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i

Другие IGBT... MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , IKW30N60H3 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK , BT60T60ANFK .

History: FF200R12KE3 | IXGH50N60AS

 

 
Back to Top

 


 
.