BT50T60ANFK - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BT50T60ANFK
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 92 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 189 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 303 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de BT50T60ANFK IGBT
BT50T60ANFK Datasheet (PDF)
bt50t60anfk.pdf
R BT50T60 ANFK BT50T60 ANFK FS IGBT VCES 600 V IC 50 A RoHS 416 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.8 V TO-3PN FS
Otros transistores... RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , YGW40N65F1 , BT60T60ANFK , DGTD120T25S1PT , DGTD120T40S1PT , DGTD65T15H2TF , DGTD65T40S2PT , DGTD65T50S1PT , DGTD65T60S2PT , KGF40N65KDC .
History: BSM15GP120 | VS-GB75TP120N
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