BT50T60ANFK - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BT50T60ANFK
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 92 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 189 pF
Paquete / Cubierta: TO3P
- Selección de transistores por parámetros
BT50T60ANFK Datasheet (PDF)
bt50t60anfk.pdf
R BT50T60 ANFK BT50T60 ANFK FS IGBT VCES 600 V IC 50 A RoHS 416 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.8 V TO-3PN FS
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1 | CT20VML-8
History: IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1 | CT20VML-8
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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