BT50T60ANFK - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BT50T60ANFK
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 416
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 92
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 189
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 303
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для BT50T60ANFK
BT50T60ANFK Datasheet (PDF)
..1. Size:1417K wuxi china
bt50t60anfk.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
bt50t60anfk.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
R BT50T60 ANFK BT50T60 ANFK FS IGBT VCES 600 V IC 50 A RoHS 416 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.8 V TO-3PN FS
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![BT50T60ANFK](https://alltransistors.com/images/us.png)
![BT50T60ANFK](https://alltransistors.com/images/es.png)
![BT50T60ANFK](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ