BT60T60ANFK - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BT60T60ANFK
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 403 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF
Paquete / Cubierta: TO3P
- Selección de transistores por parámetros
BT60T60ANFK Datasheet (PDF)
bt60t60anfk.pdf
R BT60T60 ANFK BT60T60 ANFK FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS Ptot TC=25 403 W VCE(sat) 1.85 V TO-3PN FS
Otros transistores... RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK , TGPF30N43P , DGTD120T25S1PT , DGTD120T40S1PT , DGTD65T15H2TF , DGTD65T40S2PT , DGTD65T50S1PT , DGTD65T60S2PT , KGF40N65KDC , KGF75N65KDF .
History: KGF30N60KDA | IXGH30N60B | IKW50N65WR5 | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | MMG15CB120XB6TC | IRG7PH35UD1M
History: KGF30N60KDA | IXGH30N60B | IKW50N65WR5 | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | MMG15CB120XB6TC | IRG7PH35UD1M
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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