BT60T60ANFK - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BT60T60ANFK
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 403 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 117 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de BT60T60ANFK IGBT
BT60T60ANFK Datasheet (PDF)
bt60t60anfk.pdf
R BT60T60 ANFK BT60T60 ANFK FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS Ptot TC=25 403 W VCE(sat) 1.85 V TO-3PN FS
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