BT60T60ANFK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BT60T60ANFK  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 124 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 224 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BT60T60ANFK

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BT60T60ANFK даташит

 ..1. Size:924K  wuxi china
 bt60t60anfk.pdf pdf_icon

BT60T60ANFK

R BT60T60 ANFK BT60T60 ANFK FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS Ptot TC=25 403 W VCE(sat) 1.85 V TO-3P N FS

Другие IGBT... RGT80TS65DGC13, RGTH60TS65DGC13, BT15T120CNR, BT15T60A8F, BT15T60A9F, BT25T120CKR, BT40T120CKF, BT50T60ANFK, SGT40N60FD2PT, DGTD120T25S1PT, DGTD120T40S1PT, DGTD65T15H2TF, DGTD65T40S2PT, DGTD65T50S1PT, DGTD65T60S2PT, KGF40N65KDC, KGF75N65KDF