BT60T60ANFK Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BT60T60ANFK
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 124 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 224 pF
Тип корпуса: TO3P
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BT60T60ANFK Datasheet (PDF)
..1. Size:924K wuxi china
bt60t60anfk.pdf
bt60t60anfk.pdf
R BT60T60 ANFK BT60T60 ANFK FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS Ptot TC=25 403 W VCE(sat) 1.85 V TO-3PN FS
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IRGS4607D | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | BLG75T65FUK-F | 2MBI150VA-120-50 | SKM500GA123D | 2MBI150PC-140
History: IRGS4607D | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | BLG75T65FUK-F | 2MBI150VA-120-50 | SKM500GA123D | 2MBI150PC-140
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a | g011n04