KWFFP10R12NS3 Todos los transistores

 

KWFFP10R12NS3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KWFFP10R12NS3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 105 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 59 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE

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KWFFP10R12NS3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  cn junshine
kwffp10r12ns3.pdf

KWFFP10R12NS3
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KWFFP10R12NS31200V 10A PIM IGBTNTC100% RBSOA(2*IC)(VCE=1.85V)(Eoff=0.5mJ)(>10us) IGBT(-)T

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