KWFFP10R12NS3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: KWFFP10R12NS3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для KWFFP10R12NS3
KWFFP10R12NS3 Datasheet (PDF)
..1. Size:622K cn junshine
kwffp10r12ns3.pdf
kwffp10r12ns3.pdf
KWFFP10R12NS31200V 10A PIM IGBTNTC100% RBSOA(2*IC)(VCE=1.85V)(Eoff=0.5mJ)(>10us) IGBT(-)T
Другие IGBT... LEGM200BA120L2H , LEGM200BH120L2K , LEGM25BE120E2H , LEGM300BH120L2K , LEGM75BE120L5H , LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG , RJH60F7BDPQ-A0 , KWGFP25R12NS3 , KWMFP40R12NS3 , KWRFF100R12SWM , KWRFF40R12SWM , KWRFF50R12SWM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 .
History: IXXN200N60C3H1 | IXSN50N60BD3 | SKM600GA12E4 | RJH60V2BDPP-M0 | IXGX28N140B3H1 | IXSN55N120A | APT64GA90B2D30
History: IXXN200N60C3H1 | IXSN50N60BD3 | SKM600GA12E4 | RJH60V2BDPP-M0 | IXGX28N140B3H1 | IXSN55N120A | APT64GA90B2D30
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845