MG100UZ12MRGJ Todos los transistores

 

MG100UZ12MRGJ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG100UZ12MRGJ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 690 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 94 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 780 pF
   Paquete / Cubierta: SOT227
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG100UZ12MRGJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  cn yangzhou yangjie elec
mg100uz12mrgj.pdf pdf_icon

MG100UZ12MRGJ

MG100UZ12MRGJ RoHS COMPLIANT IGBT Modules VRRM 1200V IFAV 100 A Applications Invertor Uninterruptible Power Supply (UPS) Convertor Welder SMPS Convertor Circuit Features Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness Fully isolated package High Short Circuit Capability Popular SOT-227 Packag

 9.1. Size:114K  toshiba
mg100q2ys40.pdf pdf_icon

MG100UZ12MRGJ

 9.2. Size:249K  toshiba
mg100q2ys42.pdf pdf_icon

MG100UZ12MRGJ

 9.3. Size:137K  toshiba
mg100q2ys51.pdf pdf_icon

MG100UZ12MRGJ

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: RGT8BM65D | GT50L101 | APT15GT60BRG | VS-GT400TH120N | IXGH48N60A3 | FF150R12YT3

 

 
Back to Top

 


 
.