Справочник IGBT. MG100UZ12MRGJ

 

MG100UZ12MRGJ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG100UZ12MRGJ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 690 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 94 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для MG100UZ12MRGJ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG100UZ12MRGJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  cn yangzhou yangjie elec
mg100uz12mrgj.pdfpdf_icon

MG100UZ12MRGJ

MG100UZ12MRGJ RoHS COMPLIANT IGBT Modules VRRM 1200V IFAV 100 A Applications Invertor Uninterruptible Power Supply (UPS) Convertor Welder SMPS Convertor Circuit Features Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness Fully isolated package High Short Circuit Capability Popular SOT-227 Packag

 9.1. Size:114K  toshiba
mg100q2ys40.pdfpdf_icon

MG100UZ12MRGJ

 9.2. Size:249K  toshiba
mg100q2ys42.pdfpdf_icon

MG100UZ12MRGJ

 9.3. Size:137K  toshiba
mg100q2ys51.pdfpdf_icon

MG100UZ12MRGJ

Другие IGBT... KWGFP25R12NS3 , KWMFP40R12NS3 , KWRFF100R12SWM , KWRFF40R12SWM , KWRFF50R12SWM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 , FGW75N60HD , MG150HF12MIC2 , MG150HF12MRC2 , MG200HF12MIC2 , MG200HF12MRC2 , MG400HF12MIC2 , MG400HF12MRC2 , MG75HF12MIC1 , MG75HF12MRC1 .

History: T1800GB45A | IXGH48N60C3C1 | APT15GT120SRG | IHFW40N65R5S

 

 
Back to Top

 


 
.