Справочник IGBT. MG100UZ12MRGJ

 

MG100UZ12MRGJ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG100UZ12MRGJ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 690 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 94 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG100UZ12MRGJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  cn yangzhou yangjie elec
mg100uz12mrgj.pdfpdf_icon

MG100UZ12MRGJ

MG100UZ12MRGJ RoHS COMPLIANT IGBT Modules VRRM 1200V IFAV 100 A Applications Invertor Uninterruptible Power Supply (UPS) Convertor Welder SMPS Convertor Circuit Features Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness Fully isolated package High Short Circuit Capability Popular SOT-227 Packag

 9.1. Size:114K  toshiba
mg100q2ys40.pdfpdf_icon

MG100UZ12MRGJ

 9.2. Size:249K  toshiba
mg100q2ys42.pdfpdf_icon

MG100UZ12MRGJ

 9.3. Size:137K  toshiba
mg100q2ys51.pdfpdf_icon

MG100UZ12MRGJ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: STGW80H65DFB | OST50N65HF-D | MMIX1X200N60B3 | RGT8NS65D | IXBT20N360HV | RGT8BM65D | KP810B

 

 
Back to Top

 


 
.