MSG120T65HLC1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSG120T65HLC1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 882 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 240 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 134 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 495 pF
Encapsulados: TO247PLUS
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MSG120T65HLC1 datasheet
msg120t65hlc1.pdf
MSG120T65HLC1 Features Very Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.8V @ IC = 120 A Maximum Junction Temperature TJ = 175 C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input Impedance Applications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train Applications Requiring High Power Switch
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