MSG120T65HLC1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSG120T65HLC1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 882 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 240 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 134 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 495 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 181 nC
Paquete / Cubierta: TO247PLUS
Búsqueda de reemplazo de MSG120T65HLC1 - IGBT
MSG120T65HLC1 Datasheet (PDF)
msg120t65hlc1.pdf
MSG120T65HLC1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.8V @ IC = 120 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Switch
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Liste
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