Справочник IGBT. MSG120T65HLC1

 

MSG120T65HLC1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG120T65HLC1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 134 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 495 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 181 nC
   Тип корпуса: TO247PLUS

 Аналог (замена) для MSG120T65HLC1

 

 

MSG120T65HLC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7821K  cn maspower
 msg120t65hlc1.pdf

MSG120T65HLC1 MSG120T65HLC1

MSG120T65HLC1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.8V @ IC = 120 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Switch

Другие IGBT... MG200HF12MRC2 , MG400HF12MIC2 , MG400HF12MRC2 , MG75HF12MIC1 , MG75HF12MRC1 , MG75U12MRGJ , MSG100T65HLB3 , MSG100T65HLC1 , SGT60U65FD1PT , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , MSG160T65HLC1 , MSG20T65FQS , MSG20T65FQT .

 

 
Back to Top