Справочник IGBT. MSG120T65HLC1

 

MSG120T65HLC1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG120T65HLC1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 882
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 240
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8(max)
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 134
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 495
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 181
   Тип корпуса: TO247PLUS

 Аналог (замена) для MSG120T65HLC1

 

 

MSG120T65HLC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7821K  cn maspower
 msg120t65hlc1.pdf

MSG120T65HLC1 MSG120T65HLC1

MSG120T65HLC1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.8V @ IC = 120 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Switch

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top