MSG160T65HLC1 Todos los transistores

 

MSG160T65HLC1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSG160T65HLC1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 882 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 240 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 197 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 644 pF
   Paquete / Cubierta: TO247PLUS
 

 Búsqueda de reemplazo de MSG160T65HLC1 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSG160T65HLC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6685K  cn maspower
 msg160t65hlc1.pdf pdf_icon

MSG160T65HLC1

MSG160T65HLC1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 2.1V @ IC = 160 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Switch

Otros transistores... MSG100T65HLB3 , MSG100T65HLC1 , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , GT30J124 , MSG20T65FQS , MSG20T65FQT , MSG20T65FQC , MSG30T65FT , MSG30T65FS , MSG30T65FC , MSG40T65FL , MSG50T120FQW .

History: MMG200DR120B | IXXX160N65C4 | HYG30P120H1K1

 

 
Back to Top

 


 
.