MSG160T65HLC1 - аналоги и описание IGBT

 

MSG160T65HLC1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MSG160T65HLC1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 197 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 644 pF

Тип корпуса: TO247PLUS

 Аналог (замена) для MSG160T65HLC1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSG160T65HLC1 даташит

 ..1. Size:6685K  cn maspower
 msg160t65hlc1.pdf pdf_icon

MSG160T65HLC1

MSG160T65HLC1 Features Very Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1V @ IC = 160 A Maximum Junction Temperature TJ = 175 C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input Impedance Applications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train Applications Requiring High Power Switch

Другие IGBT... MSG100T65HLB3 , MSG100T65HLC1 , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , MBQ60T65PES , MSG20T65FQS , MSG20T65FQT , MSG20T65FQC , MSG30T65FT , MSG30T65FS , MSG30T65FC , MSG40T65FL , MSG50T120FQW .

History: MSG20T65FQT | SGT70N65FDM1P7 | MSG20T65FQC | NCE100TD120VTP | NCE100TD120BTP | NCE100ED75VTP4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.