Справочник IGBT. MSG160T65HLC1

 

MSG160T65HLC1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG160T65HLC1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 882
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 240
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1(max)
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 197
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 644
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 235
   Тип корпуса: TO247PLUS

 Аналог (замена) для MSG160T65HLC1

 

 

MSG160T65HLC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6685K  cn maspower
 msg160t65hlc1.pdf

MSG160T65HLC1 MSG160T65HLC1

MSG160T65HLC1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 2.1V @ IC = 160 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Switch

Другие IGBT... MSG100T65HLB3 , MSG100T65HLC1 , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , GT50JR22 , MSG20T65FQS , MSG20T65FQT , MSG20T65FQC , MSG30T65FT , MSG30T65FS , MSG30T65FC , MSG40T65FL , MSG50T120FQW .

 

 
Back to Top