Справочник IGBT. MSG160T65HLC1

 

MSG160T65HLC1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG160T65HLC1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 197 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 644 pF
   Тип корпуса: TO247PLUS
 

 Аналог (замена) для MSG160T65HLC1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSG160T65HLC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6685K  cn maspower
 msg160t65hlc1.pdf pdf_icon

MSG160T65HLC1

MSG160T65HLC1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 2.1V @ IC = 160 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Switch

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGH24N60C4 | IXGT28N60BD1 | FB15R06KL4B1

 

 
Back to Top

 


 
.