MSG160T65HLC1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG160T65HLC1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 197 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 644 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 235 nC
Тип корпуса: TO247PLUS
Аналог (замена) для MSG160T65HLC1
MSG160T65HLC1 Datasheet (PDF)
msg160t65hlc1.pdf
MSG160T65HLC1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 2.1V @ IC = 160 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Switch
Другие IGBT... MSG100T65HLB3 , MSG100T65HLC1 , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , FGH40N60UFD , MSG20T65FQS , MSG20T65FQT , MSG20T65FQC , MSG30T65FT , MSG30T65FS , MSG30T65FC , MSG40T65FL , MSG50T120FQW .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2