CRG40T120AK3S IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG40T120AK3S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 278 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47.5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 131 pF
Encapsulados: TO247
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CRG40T120AK3S datasheet
crg40t120ak3s.pdf
Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3S General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturatio
crg40t120ak3sd.pdf
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