CRG40T120AK3S - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

CRG40T120AK3S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CRG40T120AK3S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G40T120AK3S
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 47.5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 208 nC
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для CRG40T120AK3S

CRG40T120AK3S Datasheet (PDF)

..1. Size:1512K crhj
crg40t120ak3s.pdf

CRG40T120AK3S CRG40T120AK3S VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247

..2. Size:1470K wuxi china
crg40t120ak3s.pdf

Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3S General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturatio

0.1. Size:1476K crhj
crg40t120ak3sd.pdf

CRG40T120AK3SD CRG40T120AK3SD VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 333 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247

0.2. Size:1472K wuxi china
crg40t120ak3sd.pdf

Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3SD General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

5.1. Size:1273K crhj
crg40t120bk3s.pdf