CRG40T120AK3SD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRG40T120AK3SD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G40T120AK3SD
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 333 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47.5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 131 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 208 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de CRG40T120AK3SD - IGBT
CRG40T120AK3SD Datasheet (PDF)
crg40t120ak3sd.pdf
CRG40T120AK3SD CRG40T120AK3SD VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 333 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247
crg40t120ak3sd.pdf
Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3SD General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati
crg40t120ak3s.pdf
CRG40T120AK3S CRG40T120AK3S VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247
crg40t120ak3s.pdf
Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3S General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturatio
crg40t120bk3s.pdf
CRG40T120BK3S CRG40T120BK3SVCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ;TO-247
crg40t120bk3sd.pdf
CRG40T120BK3SD CRG40T120BK3SD VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V TO-247
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