CRG40T120AK3SD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CRG40T120AK3SD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: G40T120AK3SD
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 333
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 47.5
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 131
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 208
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de CRG40T120AK3SD - IGBT

CRG40T120AK3SD Datasheet (PDF)

..1. Size:1476K crhj
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CRG40T120AK3SD CRG40T120AK3SD VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 333 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247

..2. Size:1472K wuxi china
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Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3SD General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

1.1. Size:1512K crhj
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CRG40T120AK3S CRG40T120AK3S VCES 1200 V RoHS IC 40 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 1.9 V ; TO-247

1.2. Size:1470K wuxi china
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Silicon FS Trench IGBT CRG40T120AK3S General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 333 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturatio

5.1. Size:1273K crhj
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