CRG75T60AK3HD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRG75T60AK3HD  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 92 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 268 pF

Encapsulados: TO247

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CRG75T60AK3HD datasheet

 ..1. Size:963K  crhj
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CRG75T60AK3HD

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V RoHS IC 75 A Ptot TC=25 390 W VCE(sat) 1.70 V FS TO-247 VCE(sat),TYP

 ..2. Size:1230K  wuxi china
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CRG75T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG75T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 75 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 469 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.70 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

 7.1. Size:1143K  crhj
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CRG75T60AK3HD

CRG75T65AK5HD CRG75T65AK5HD FS IGBT VCES 650 V IC 75 A RoHS Ptot TC=25 468 W VCE(sat) 1.65 V TO-247 FS VCE(s

Otros transistores... CRG40T60AN3H, CRG40T60AN3HD, CRG40T60AK3HD, CRG40T65AK5H, CRG40T65AN5H, CRG40T65AK5HD, CRG40T65AN5HD, CRG60T60AK3HD, JT075N065WED, CRG75T65AK5HD, CRGMF100T120FSA3, CRGMF50T120FSC, CRGMF75T120FSC, SPD15N65T1, SPT10N120T1, SPT15N120F1, SPT15N120T1