CRG75T60AK3HD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CRG75T60AK3HD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 92 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 268 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CRG75T60AK3HD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG75T60AK3HD даташит

 ..1. Size:963K  crhj
 crg75t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V RoHS IC 75 A Ptot TC=25 390 W VCE(sat) 1.70 V FS TO-247 VCE(sat),TYP

 ..2. Size:1230K  wuxi china
 crg75t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG75T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 75 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 469 W Ptot TC=25 VCE(sat) 1.70 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

 7.1. Size:1143K  crhj
 crg75t65ak5hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

CRG75T65AK5HD CRG75T65AK5HD FS IGBT VCES 650 V IC 75 A RoHS Ptot TC=25 468 W VCE(sat) 1.65 V TO-247 FS VCE(s

Другие IGBT... CRG40T60AN3H, CRG40T60AN3HD, CRG40T60AK3HD, CRG40T65AK5H, CRG40T65AN5H, CRG40T65AK5HD, CRG40T65AN5HD, CRG60T60AK3HD, JT075N065WED, CRG75T65AK5HD, CRGMF100T120FSA3, CRGMF50T120FSC, CRGMF75T120FSC, SPD15N65T1, SPT10N120T1, SPT15N120F1, SPT15N120T1