Справочник IGBT. CRG75T60AK3HD

 

CRG75T60AK3HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG75T60AK3HD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G75T60AK3HD
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 92 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 268 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 433 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CRG75T60AK3HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  crhj
 crg75t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V RoHS IC 75 A Ptot TC=25 390 W VCE(sat) 1.70 V FS TO-247 VCE(sat),TYP

 ..2. Size:1230K  wuxi china
 crg75t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG75T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 75 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 469 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.70 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

 7.1. Size:1143K  crhj
 crg75t65ak5hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

CRG75T65AK5HD CRG75T65AK5HD FS IGBT VCES 650 V IC 75 A RoHS Ptot TC=25 468 W VCE(sat) 1.65 V TO-247 FS VCE(s

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.