Справочник IGBT. CRG75T60AK3HD

 

CRG75T60AK3HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG75T60AK3HD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G75T60AK3HD
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 92 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 268 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 433 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CRG75T60AK3HD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG75T60AK3HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  crhj
 crg75t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V RoHS IC 75 A Ptot TC=25 390 W VCE(sat) 1.70 V FS TO-247 VCE(sat),TYP

 ..2. Size:1230K  wuxi china
 crg75t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG75T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 75 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 469 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.70 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

 7.1. Size:1143K  crhj
 crg75t65ak5hd.pdf pdf_icon

CRG75T60AK3HD

CRG75T65AK5HD CRG75T65AK5HD FS IGBT VCES 650 V IC 75 A RoHS Ptot TC=25 468 W VCE(sat) 1.65 V TO-247 FS VCE(s

Другие IGBT... CRG40T60AN3H , CRG40T60AN3HD , CRG40T60AK3HD , CRG40T65AK5H , CRG40T65AN5H , CRG40T65AK5HD , CRG40T65AN5HD , CRG60T60AK3HD , IKW75N60T , CRG75T65AK5HD , CRGMF100T120FSA3 , CRGMF50T120FSC , CRGMF75T120FSC , SPD15N65T1 , SPT10N120T1 , SPT15N120F1 , SPT15N120T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.