Справочник IGBT. CRG75T60AK3HD

 

CRG75T60AK3HD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG75T60AK3HD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G75T60AK3HD
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 390
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 92
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 268
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 433
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG75T60AK3HD

 

 

CRG75T60AK3HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  crhj
 crg75t60ak3hd.pdf

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V RoHS IC 75 A Ptot TC=25 390 W VCE(sat) 1.70 V FS TO-247 VCE(sat),TYP

 ..2. Size:1230K  wuxi china
 crg75t60ak3hd.pdf

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG75T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 75 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 469 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.70 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

 7.1. Size:1143K  crhj
 crg75t65ak5hd.pdf

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD

CRG75T65AK5HD CRG75T65AK5HD FS IGBT VCES 650 V IC 75 A RoHS Ptot TC=25 468 W VCE(sat) 1.65 V TO-247 FS VCE(s

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top