SPT20N120F1 Todos los transistores

 

SPT20N120F1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPT20N120F1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 72 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SPT20N120F1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1821K  cn sptech
 spt20n120f1.pdf pdf_icon

SPT20N120F1

SPT20N120F11200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 20 A Cimproved reliabilityV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable

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History: 2M410A | NCE15TD60BD | STGW20NB60H | DGC50F65M2 | IXGX82N120B3 | IXSN80N60BD1 | RJH60C9DPD

 

 
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