SPT20N120F1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPT20N120F1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 208
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 22
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 72
Paquete / Cubierta: TO247
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SPT20N120F1 Datasheet (PDF)
spt20n120f1.pdf
SPT20N120F11200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 20 A Cimproved reliabilityV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable
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Liste
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