SPT20N120F1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPT20N120F1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 72 pF
Encapsulados: TO247
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SPT20N120F1 datasheet
spt20n120f1.pdf
SPT20N120F1 1200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 20 A C improved reliability V I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s High ruggedness, temperature stable
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History: NGTB30N65IHL2WG | SPT40N120T1BT8TL | SPT25N135F1AT8TL | TT025N120FQ
History: NGTB30N65IHL2WG | SPT40N120T1BT8TL | SPT25N135F1AT8TL | TT025N120FQ
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