Справочник IGBT. SPT20N120F1

 

SPT20N120F1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT20N120F1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 208
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 22
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 72
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 140
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT20N120F1

 

 

SPT20N120F1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1821K  cn sptech
 spt20n120f1.pdf

SPT20N120F1 SPT20N120F1

SPT20N120F11200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 20 A Cimproved reliabilityV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top