SPT20N120F1 - аналоги и описание IGBT

 

SPT20N120F1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SPT20N120F1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT20N120F1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SPT20N120F1 даташит

 ..1. Size:1821K  cn sptech
 spt20n120f1.pdf pdf_icon

SPT20N120F1

SPT20N120F1 1200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 20 A C improved reliability V I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s High ruggedness, temperature stable

Другие IGBT... CRGMF100T120FSA3 , CRGMF50T120FSC , CRGMF75T120FSC , SPD15N65T1 , SPT10N120T1 , SPT15N120F1 , SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , RJH3047 , SPT25N120F1A1 , SPT25N120T1 , SPT25N120U1 , SPT25N135F1A , SPT40N120 , SPL40N120 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 .

History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052

 

 

 

 

↑ Back to Top
.