Справочник IGBT. SPT20N120F1

 

SPT20N120F1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT20N120F1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 140 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SPT20N120F1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SPT20N120F1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1821K  cn sptech
 spt20n120f1.pdf pdf_icon

SPT20N120F1

SPT20N120F11200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 20 A Cimproved reliabilityV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable

Другие IGBT... CRGMF100T120FSA3 , CRGMF50T120FSC , CRGMF75T120FSC , SPD15N65T1 , SPT10N120T1 , SPT15N120F1 , SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , GT45F122 , SPT25N120F1A1 , SPT25N120T1 , SPT25N120U1 , SPT25N135F1A , SPT40N120 , SPL40N120 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 .

 

 
Back to Top

 


 
.