SPF15N65T1T1TL IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPF15N65T1T1TL
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 27 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 80 pF
Encapsulados: TO220F
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SPF15N65T1T1TL datasheet
spf15n65t1t1tl.pdf
SPF15N65T1T1TL 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features V 650 V CE Max Junction Temperature 150 C High breakdown voltage up to 650V for I 15 A C improved reliability V I =15A 1.65 V CE(SAT) C Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching applicat
spf15n65t1t2tl.pdf
SPF15N65T1T2TL 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features V 650 V CE Max Junction Temperature 150 C High breakdown voltage up to 650V for I 15 A C improved reliability V I =15A 1.65 V CE(SAT) C Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching applicat
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History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2
History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2
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