Справочник IGBT. SPF15N65T1T1TL

 

SPF15N65T1T1TL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPF15N65T1T1TL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 92 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SPF15N65T1T1TL

 

 

SPF15N65T1T1TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6910K  cn sps
 spf15n65t1t1tl.pdf

SPF15N65T1T1TL SPF15N65T1T1TL

SPF15N65T1T1TL650V /15A Trench Field Stop IGBT Features V 650 V CE Max Junction Temperature 150C High breakdown voltage up to 650V for I 15 A Cimproved reliabilityV I =15A 1.65 V CE(SAT) C Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage:V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching applicat

 3.1. Size:6908K  cn sps
 spf15n65t1t2tl.pdf

SPF15N65T1T1TL SPF15N65T1T1TL

SPF15N65T1T2TL650V /15A Trench Field Stop IGBT Features V 650 V CE Max Junction Temperature 150C High breakdown voltage up to 650V for I 15 A Cimproved reliabilityV I =15A 1.65 V CE(SAT) C Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage:V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching applicat

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top