Справочник IGBT. SPF15N65T1T1TL

 

SPF15N65T1T1TL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPF15N65T1T1TL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 27
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 25
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 80
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 92
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SPF15N65T1T1TL

 

 

SPF15N65T1T1TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6910K  cn sps
 spf15n65t1t1tl.pdf

SPF15N65T1T1TL SPF15N65T1T1TL

SPF15N65T1T1TL650V /15A Trench Field Stop IGBT Features V 650 V CE Max Junction Temperature 150C High breakdown voltage up to 650V for I 15 A Cimproved reliabilityV I =15A 1.65 V CE(SAT) C Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage:V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching applicat

 3.1. Size:6908K  cn sps
 spf15n65t1t2tl.pdf

SPF15N65T1T1TL SPF15N65T1T1TL

SPF15N65T1T2TL650V /15A Trench Field Stop IGBT Features V 650 V CE Max Junction Temperature 150C High breakdown voltage up to 650V for I 15 A Cimproved reliabilityV I =15A 1.65 V CE(SAT) C Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage:V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching applicat

Другие IGBT... SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 , SPT40N120F1C , SPT40N120T1B1 , SPT50N65F1A , SPT50N65F1A1 , SPT60N65F1A1 , SPD15N65T1T0TL , NCE80TD65BT , SPF15N65T1T2TL , SPT10N120T1T8TL , SPT15N120F1T8TL , SPT15N120T1T8TL , SPT25N120F1 , SPT25N120F1A1T8TL , SPT25N120T1T8TL , SPT25N120U1T8TL .

 

 
Back to Top