XNF6N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: XNF6N60T
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 30
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 12
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.3
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 16
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 20
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 19
   Paquete / Cubierta: TO220F

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XNF6N60T Datasheet (PDF)

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