XNF6N60T - аналоги и описание IGBT

 

XNF6N60T - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XNF6N60T

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для XNF6N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XNF6N60T даташит

 ..1. Size:698K  cn xiner
 xnf6n60t.pdf pdf_icon

XNF6N60T

Data Sheet XNF6N60T 600V/6A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature TJ =

Другие IGBT... SPT40N120F1A1T8TL , SPT40N120F1AT8TL , SPT40N120F1CT8TL , SPT40N120T1B1T8TL , SPT40N120T1BT8TL , SPT50N65F1A1T8TL , SPT50N65F1AT8TL , SPT60N65F1A1T8TL , TGPF30N43P , XNG100B24TC1S5 , XNS25N120T , XNS40N120T , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 .

History: SRE50N065FSU | TA49014 | STGWA20M65DF2 | STGWA50HP65FB2 | YGW40N120F2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.