Справочник IGBT. XNF6N60T

 

XNF6N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XNF6N60T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.3 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 19 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для XNF6N60T

 

 

XNF6N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  cn xiner
 xnf6n60t.pdf

XNF6N60T XNF6N60T

Data Sheet XNF6N60T 600V/6A IGBT /PRODUCT FEATURES 2 + Advanced Trench+FS IGBT technology 1 Low Collector-Emitter Saturation voltage 3 With anti-parallel fast recovery diode TJ = 175 C Maximum junction temperature: TJ =

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top