IXGA8N100 Todos los transistores

 

IXGA8N100 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGA8N100

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1000

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 16

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 2.7

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO263

Búsqueda de reemplazo de IXGA8N100 - IGBT

 

IXGA8N100 Datasheet (PDF)

1.1. ixga8n100 ixgp8n100.pdf Size:554K _ixys

IXGA8N100
IXGA8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 1000 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V G C E IC25 TC = 25°C16 A IC90 TC = 90°C8 A ICM TC = 25°C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

1.2. ixga8n100.pdf Size:552K _ixys

IXGA8N100
IXGA8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 1000 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V G C E IC25 TC = 25°C16 A IC90 TC = 90°C8 A ICM TC = 25°C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

 

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