IXGA8N100 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGA8N100
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 54 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de IXGA8N100 IGBT
IXGA8N100 datasheet
ixga8n100 ixgp8n100.pdf
IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,... See More ⇒
ixga8n100.pdf
IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,... See More ⇒
Otros transistores... IXGA12N60CD1 , IXGA15N100C , IXGA15N120B , IXGA15N120C , IXGA20N100 , IXGA20N60B , IXGA7N60B , IXGA7N60C , IRG4PF50W , IXGH32N60AU1S , IXGH40N30AS , IXGH40N30BS , IXGH50N60AS , IXGT32N60B , IXSM25N100 , IXSM25N100A , IXGH10N100U1 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372