IXGA8N100 - аналоги и описание IGBT

 

IXGA8N100 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXGA8N100
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXGA8N100

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXGA8N100

 ..1. Size:554K  ixys
 ixga8n100 ixgp8n100.pdf pdf_icon

IXGA8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

 ..2. Size:552K  ixys
 ixga8n100.pdf pdf_icon

IXGA8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

Другие IGBT... IXGA12N60CD1 , IXGA15N100C , IXGA15N120B , IXGA15N120C , IXGA20N100 , IXGA20N60B , IXGA7N60B , IXGA7N60C , IRG4PF50W , IXGH32N60AU1S , IXGH40N30AS , IXGH40N30BS , IXGH50N60AS , IXGT32N60B , IXSM25N100 , IXSM25N100A , IXGH10N100U1 .

 

 
Back to Top

 


 
.