IXGA8N100 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGA8N100
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IXGA8N100
IXGA8N100 Datasheet (PDF)
ixga8n100 ixgp8n100.pdf
IXGA 8N100VCES = 1000 VIGBTIXGP 8N100IC25 = 16 AVCE(sat) = 2.7 VPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C16 AIC90 TC = 90C8 AICM TC = 25C, 1 ms 32 ATO-263 AA (IXGA)SSOA VGE = 15 V,
ixga8n100.pdf
IXGA 8N100VCES = 1000 VIGBTIXGP 8N100IC25 = 16 AVCE(sat) = 2.7 VPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C16 AIC90 TC = 90C8 AICM TC = 25C, 1 ms 32 ATO-263 AA (IXGA)SSOA VGE = 15 V,
Другие IGBT... IXGA12N60CD1 , IXGA15N100C , IXGA15N120B , IXGA15N120C , IXGA20N100 , IXGA20N60B , IXGA7N60B , IXGA7N60C , GT60N321 , IXGH32N60AU1S , IXGH40N30AS , IXGH40N30BS , IXGH50N60AS , IXGT32N60B , IXSM25N100 , IXSM25N100A , IXGH10N100U1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372