IXGA8N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXGA8N100  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXGA8N100

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA8N100 даташит

 ..1. Size:554K  ixys
 ixga8n100 ixgp8n100.pdf pdf_icon

IXGA8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

 ..2. Size:552K  ixys
 ixga8n100.pdf pdf_icon

IXGA8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

Другие IGBT... IXGA12N60CD1, IXGA15N100C, IXGA15N120B, IXGA15N120C, IXGA20N100, IXGA20N60B, IXGA7N60B, IXGA7N60C, AUIRGPS4067D1, IXGH32N60AU1S, IXGH40N30AS, IXGH40N30BS, IXGH50N60AS, IXGT32N60B, IXSM25N100, IXSM25N100A, IXGH10N100U1