XNG100B24TC1S5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XNG100B24TC1S5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 463 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de XNG100B24TC1S5 - IGBT
XNG100B24TC1S5 Datasheet (PDF)
xng100b24tc1s5.pdf
Xiner XNG100B24TC1S5 1200V/100A IGBT Half-Bridge Module Features High frequency operation Low stray inductance High reliability and Power density Low switching loss and Vcesat Applications 34mm Half-Bridge Module Welding machine UPS Industry Inverter Motor Control Circuit Diagram Vces=1200v Ic=100A@Tc=100 Package Outlines Unit
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Liste
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