XNG100B24TC1S5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XNG100B24TC1S5
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 463
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 80
Paquete / Cubierta: MODULE
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XNG100B24TC1S5 Datasheet (PDF)
xng100b24tc1s5.pdf
Xiner XNG100B24TC1S5 1200V/100A IGBT Half-Bridge Module Features High frequency operation Low stray inductance High reliability and Power density Low switching loss and Vcesat Applications 34mm Half-Bridge Module Welding machine UPS Industry Inverter Motor Control Circuit Diagram Vces=1200v Ic=100A@Tc=100 Package Outlines Unit
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Liste
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