XNG100B24TC1S5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: XNG100B24TC1S5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для XNG100B24TC1S5
XNG100B24TC1S5 Datasheet (PDF)
xng100b24tc1s5.pdf
Xiner XNG100B24TC1S5 1200V/100A IGBT Half-Bridge Module Features High frequency operation Low stray inductance High reliability and Power density Low switching loss and Vcesat Applications 34mm Half-Bridge Module Welding machine UPS Industry Inverter Motor Control Circuit Diagram Vces=1200v Ic=100A@Tc=100 Package Outlines Unit
Другие IGBT... SPT40N120F1AT8TL , SPT40N120F1CT8TL , SPT40N120T1B1T8TL , SPT40N120T1BT8TL , SPT50N65F1A1T8TL , SPT50N65F1AT8TL , SPT60N65F1A1T8TL , XNF6N60T , YGW40N65F1A1 , XNS25N120T , XNS40N120T , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2