Справочник IGBT. XNG100B24TC1S5

 

XNG100B24TC1S5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XNG100B24TC1S5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

XNG100B24TC1S5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  cn xiner
 xng100b24tc1s5.pdf pdf_icon

XNG100B24TC1S5

Xiner XNG100B24TC1S5 1200V/100A IGBT Half-Bridge Module Features High frequency operation Low stray inductance High reliability and Power density Low switching loss and Vcesat Applications 34mm Half-Bridge Module Welding machine UPS Industry Inverter Motor Control Circuit Diagram Vces=1200v Ic=100A@Tc=100 Package Outlines Unit

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: NCE100ED65VT4 | SG20N12DT | IXYK100N120C3 | MGB15N40CL | 2MBI300NB-060 | IRG4PC40FDPBF | IXGH40N60C2

 

 
Back to Top

 


 
.