XNG100B24TC1S5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: XNG100B24TC1S5
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для XNG100B24TC1S5
XNG100B24TC1S5 Datasheet (PDF)
xng100b24tc1s5.pdf
Xiner XNG100B24TC1S5 1200V/100A IGBT Half-Bridge Module Features High frequency operation Low stray inductance High reliability and Power density Low switching loss and Vcesat Applications 34mm Half-Bridge Module Welding machine UPS Industry Inverter Motor Control Circuit Diagram Vces=1200v Ic=100A@Tc=100 Package Outlines Unit
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2