XNS25N120T Todos los transistores

 

XNS25N120T IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XNS25N120T

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 310 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 63 pF

Encapsulados: TO247

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XNS25N120T datasheet

 ..1. Size:1109K  cn xiner
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XNS25N120T

Xiner XNS25N120T 1200V 25A Trench-FS IGBT Features Advanced Trench+FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typical data is 1.85V @ 25A. Easy parallel switching capability due to positive Temperature coefficient in Vce. Fast switching Schematic Diagram High input impedance Pb- Free product Applications Industry Invert

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History: TGH40N60F2D | STGB19NC60W | STGW40V60F | RJP5001APP-00 | SRE40N065FSU2DF | VS-ETL015Y120H | T1200EB45E

 

 

 

 

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