XNS25N120T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XNS25N120T
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 310
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 63
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 192
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de XNS25N120T - IGBT
XNS25N120T Datasheet (PDF)
xns25n120t.pdf
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Xiner XNS25N120T1200V25ATrench-FS IGBTFeatures Advanced Trench+FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typicaldata is 1.85V @ 25A. Easy parallel switching capability due to positiveTemperature coefficient in Vce. Fast switchingSchematic Diagram High input impedance Pb- Free productApplications Industry Invert
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