XNS25N120T Todos los transistores

 

XNS25N120T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XNS25N120T
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 310 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 63 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 192 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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XNS25N120T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1109K  cn xiner
 xns25n120t.pdf pdf_icon

XNS25N120T

Xiner XNS25N120T1200V25ATrench-FS IGBTFeatures Advanced Trench+FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typicaldata is 1.85V @ 25A. Easy parallel switching capability due to positiveTemperature coefficient in Vce. Fast switchingSchematic Diagram High input impedance Pb- Free productApplications Industry Invert

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History: LEGM200BA120L2H | IXGX400N30A | IRG7PH35UDPBF | IXGH60N60C2 | AOK50B65M2 | 2MBI100NB-120

 

 
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