Справочник IGBT. XNS25N120T

 

XNS25N120T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XNS25N120T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 63
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 192
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для XNS25N120T

 

 

XNS25N120T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1109K  cn xiner
 xns25n120t.pdf

XNS25N120T XNS25N120T

Xiner XNS25N120T1200V25ATrench-FS IGBTFeatures Advanced Trench+FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typicaldata is 1.85V @ 25A. Easy parallel switching capability due to positiveTemperature coefficient in Vce. Fast switchingSchematic Diagram High input impedance Pb- Free productApplications Industry Invert

Другие IGBT... SPT40N120F1CT8TL , SPT40N120T1B1T8TL , SPT40N120T1BT8TL , SPT50N65F1A1T8TL , SPT50N65F1AT8TL , SPT60N65F1A1T8TL , XNF6N60T , XNG100B24TC1S5 , IHW20N120R2 , XNS40N120T , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 .

 

 
Back to Top