XNS25N120T - аналоги и описание IGBT

 

XNS25N120T - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XNS25N120T

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для XNS25N120T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XNS25N120T даташит

 ..1. Size:1109K  cn xiner
 xns25n120t.pdf pdf_icon

XNS25N120T

Xiner XNS25N120T 1200V 25A Trench-FS IGBT Features Advanced Trench+FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typical data is 1.85V @ 25A. Easy parallel switching capability due to positive Temperature coefficient in Vce. Fast switching Schematic Diagram High input impedance Pb- Free product Applications Industry Invert

Другие IGBT... SPT40N120F1CT8TL , SPT40N120T1B1T8TL , SPT40N120T1BT8TL , SPT50N65F1A1T8TL , SPT50N65F1AT8TL , SPT60N65F1A1T8TL , XNF6N60T , XNG100B24TC1S5 , NGTB75N65FL2 , XNS40N120T , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 .

History: STGB19NC60W | TGAN40N120F2DW | STGWT40H65DFB | SGP15N60RUF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.