Справочник IGBT. XNS25N120T

 

XNS25N120T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XNS25N120T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

XNS25N120T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1109K  cn xiner
 xns25n120t.pdf pdf_icon

XNS25N120T

Xiner XNS25N120T1200V25ATrench-FS IGBTFeatures Advanced Trench+FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typicaldata is 1.85V @ 25A. Easy parallel switching capability due to positiveTemperature coefficient in Vce. Fast switchingSchematic Diagram High input impedance Pb- Free productApplications Industry Invert

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4

 

 
Back to Top

 


 
.