XNS40N120T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XNS40N120T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 480
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 30
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 240
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de XNS40N120T - IGBT
XNS40N120T Datasheet (PDF)
xns40n120t.pdf
Xiner XNS40N120T1200V40ATrench-FS IGBTFeatures Advanced Trench +FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typicaldata is 1.8V @ 40A. Short-Circuit withstand time-10uS Easy parallel switching capability due to positiveTemperature coefficient in Vce.Schematic Diagram Fast switching High input impedance Pb- Free pro
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Liste
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