XNS40N120T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XNS40N120T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 480 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 240 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de XNS40N120T - IGBT
XNS40N120T Datasheet (PDF)
xns40n120t.pdf
Xiner XNS40N120T1200V40ATrench-FS IGBTFeatures Advanced Trench +FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typicaldata is 1.8V @ 40A. Short-Circuit withstand time-10uS Easy parallel switching capability due to positiveTemperature coefficient in Vce.Schematic Diagram Fast switching High input impedance Pb- Free pro
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