XNS40N120T Todos los transistores

 

XNS40N120T IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XNS40N120T

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 480 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 240 pF

Encapsulados: TO247

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XNS40N120T datasheet

 ..1. Size:518K  cn xiner
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XNS40N120T

Xiner XNS40N120T 1200V 40A Trench-FS IGBT Features Advanced Trench +FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typical data is 1.8V @ 40A. Short-Circuit withstand time-10uS Easy parallel switching capability due to positive Temperature coefficient in Vce. Schematic Diagram Fast switching High input impedance Pb- Free pro

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History: XP015PJE120AT1B1 | SKM100GB124D | SII75N12 | SRE40N065FSUDG | SGL40N150D | TGAN40S160FD | YGW50N120FP

 

 

 

 

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