XNS40N120T - аналоги и описание IGBT

 

XNS40N120T - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XNS40N120T

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для XNS40N120T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XNS40N120T даташит

 ..1. Size:518K  cn xiner
 xns40n120t.pdf pdf_icon

XNS40N120T

Xiner XNS40N120T 1200V 40A Trench-FS IGBT Features Advanced Trench +FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typical data is 1.8V @ 40A. Short-Circuit withstand time-10uS Easy parallel switching capability due to positive Temperature coefficient in Vce. Schematic Diagram Fast switching High input impedance Pb- Free pro

Другие IGBT... SPT40N120T1B1T8TL , SPT40N120T1BT8TL , SPT50N65F1A1T8TL , SPT50N65F1AT8TL , SPT60N65F1A1T8TL , XNF6N60T , XNG100B24TC1S5 , XNS25N120T , FGH30S130P , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 .

History: SPT40N120T1BT8TL | NGTB30N65IHL2WG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.