Справочник IGBT. XNS40N120T

 

XNS40N120T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XNS40N120T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для XNS40N120T

 

 

XNS40N120T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  cn xiner
 xns40n120t.pdf

XNS40N120T XNS40N120T

Xiner XNS40N120T1200V40ATrench-FS IGBTFeatures Advanced Trench +FS (Field Stop) IGBT technology Low Collector-Emitter Saturation voltage, typicaldata is 1.8V @ 40A. Short-Circuit withstand time-10uS Easy parallel switching capability due to positiveTemperature coefficient in Vce.Schematic Diagram Fast switching High input impedance Pb- Free pro

Другие IGBT... SPT40N120T1B1T8TL , SPT40N120T1BT8TL , SPT50N65F1A1T8TL , SPT50N65F1AT8TL , SPT60N65F1A1T8TL , XNF6N60T , XNG100B24TC1S5 , XNS25N120T , IRG4PC50U , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 .

 

 
Back to Top