XD075H065CX1S3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XD075H065CX1S3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: D75H65CX1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 385 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 91 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 355 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 118 nC
Paquete / Cubierta: TO247
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XD075H065CX1S3 Datasheet (PDF)
xd075h065cx1s3.pdf
XD075H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 650V, 75A V =1.80V@V =15V, I =75A CE(sat)(typ.) GE C Maximum Junction Temperature 175 Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Solar Converters Uninterrupted Power Supply Welding Converters Mid to High Range Switching Frequency Converters Key Performance and Package Par
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