XD075H065CX1S3 Todos los transistores

 

XD075H065CX1S3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XD075H065CX1S3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 385 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 91 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 355 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

XD075H065CX1S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:726K  cn xdm
 xd075h065cx1s3.pdf pdf_icon

XD075H065CX1S3

XD075H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 650V, 75A V =1.80V@V =15V, I =75A CE(sat)(typ.) GE C Maximum Junction Temperature 175 Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Solar Converters Uninterrupted Power Supply Welding Converters Mid to High Range Switching Frequency Converters Key Performance and Package Par

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History: 2PG006 | CM2400HC-34H

 

 
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