XD075H065CX1S3 Todos los transistores

 

XD075H065CX1S3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XD075H065CX1S3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 385 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 91 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 355 pF

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de XD075H065CX1S3 IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

XD075H065CX1S3 datasheet

 ..1. Size:726K  cn xdm
 xd075h065cx1s3.pdf pdf_icon

XD075H065CX1S3

XD075H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 650V, 75A V =1.80V@V =15V, I =75A CE(sat)(typ.) GE C Maximum Junction Temperature 175 Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Solar Converters Uninterrupted Power Supply Welding Converters Mid to High Range Switching Frequency Converters Key Performance and Package Par

Otros transistores... XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , IKW40N65WR5 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 .

History: RJH60D5DPK | SPT25N120T1T8TL | SRE100N065FSU2D6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.