XD075H065CX1S3 Todos los transistores

 

XD075H065CX1S3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XD075H065CX1S3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: D75H65CX1
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 385
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 110
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.8
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 91
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 355
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 118
   Paquete / Cubierta: TO247

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XD075H065CX1S3 Datasheet (PDF)

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XD075H065CX1S3 XD075H065CX1S3

XD075H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 650V, 75A V =1.80V@V =15V, I =75A CE(sat)(typ.) GE C Maximum Junction Temperature 175 Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Solar Converters Uninterrupted Power Supply Welding Converters Mid to High Range Switching Frequency Converters Key Performance and Package Par

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