Справочник IGBT. XD075H065CX1S3

 

XD075H065CX1S3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XD075H065CX1S3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: D75H65CX1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 385 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 110 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 91 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 355 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 118 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

XD075H065CX1S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:726K  cn xdm
 xd075h065cx1s3.pdf pdf_icon

XD075H065CX1S3

XD075H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 650V, 75A V =1.80V@V =15V, I =75A CE(sat)(typ.) GE C Maximum Junction Temperature 175 Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Solar Converters Uninterrupted Power Supply Welding Converters Mid to High Range Switching Frequency Converters Key Performance and Package Par

Другие IGBT... XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , IRG4PF50W , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 .

History: CM2400HC-34H | 2PG006

 

 
Back to Top

 


 
.