XD075H065CX1S3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: XD075H065CX1S3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: D75H65CX1
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 385
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 110
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 91
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 355
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 118
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для XD075H065CX1S3
XD075H065CX1S3 Datasheet (PDF)
xd075h065cx1s3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
XD075H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 650V, 75A V =1.80V@V =15V, I =75A CE(sat)(typ.) GE C Maximum Junction Temperature 175 Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Solar Converters Uninterrupted Power Supply Welding Converters Mid to High Range Switching Frequency Converters Key Performance and Package Par
Другие IGBT... XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , CRG15T120BNR3S , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 .
![XD075H065CX1S3](https://alltransistors.com/images/us.png)
![XD075H065CX1S3](https://alltransistors.com/images/es.png)
![XD075H065CX1S3](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ