XP025PJE120AT1B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XP025PJE120AT1B2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 153
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 25
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.24
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.5(typ)
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 31
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 145
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de XP025PJE120AT1B2 - IGBT
XP025PJE120AT1B2 Datasheet (PDF)
xp025pje120at1b2.pdf
XP025PJE120AT1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit
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Liste
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IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ