XP025PJE120AT1B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XP025PJE120AT1B2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 153 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.24 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5(typ) V
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 31 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 145 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
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XP025PJE120AT1B2 Datasheet (PDF)
xp025pje120at1b2.pdf
XP025PJE120AT1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit
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Liste
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