XP025PJE120AT1B2 Todos los transistores

 

XP025PJE120AT1B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XP025PJE120AT1B2

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 153 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.24 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 31 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 145 pF

Encapsulados: MODULE

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XP025PJE120AT1B2 datasheet

 0.1. Size:827K  cn xdm
 xp025pje120at1b2.pdf pdf_icon

XP025PJE120AT1B2

XP025PJE120AT1B2 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features Trench+ Field Stop Technology 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching Losses Applications Frequency Coverters Motor Drives Auxiliary Inverters Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions Values Unit

Otros transistores... XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , BT60T60ANFK , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD .

History: SRE40N065FSUDF | T2250AB25E | SII75N12 | SRE40N065FSUDG | SGL40N150D | TGAN40S160FD | YGW50N120FP

 

 

 

 

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