XP025PJE120AT1B2 Todos los transistores

 

XP025PJE120AT1B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XP025PJE120AT1B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 153 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.24 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 31 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 145 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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XP025PJE120AT1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:827K  cn xdm
 xp025pje120at1b2.pdf pdf_icon

XP025PJE120AT1B2

XP025PJE120AT1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: CM150TL-24NF | BLG60T65FDL-W | STGB14NC60KD | YGW75N65F1 | MG12200D-BA1MM | IXSH25N120A | RJP4301APP-M0

 

 
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