Справочник IGBT. XP025PJE120AT1B2

 

XP025PJE120AT1B2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP025PJE120AT1B2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 153
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 25
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.24
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5(typ)
   Время нарастания типовое (tr), nS: 31
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 145
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP025PJE120AT1B2

 

 

XP025PJE120AT1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:827K  cn xdm
 xp025pje120at1b2.pdf

XP025PJE120AT1B2 XP025PJE120AT1B2

XP025PJE120AT1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top