Справочник IGBT. XP025PJE120AT1B2

 

XP025PJE120AT1B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP025PJE120AT1B2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 153 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.24 V @25℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 145 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для XP025PJE120AT1B2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP025PJE120AT1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:827K  cn xdm
 xp025pje120at1b2.pdf pdf_icon

XP025PJE120AT1B2

XP025PJE120AT1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit

Другие IGBT... XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , FGW75N60HD , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD .

History: OST60N65HSZF | IXGP30N60C3D4 | VS-ETF075Y60U | APT15GP90BG | SGM40HF12A1TFD | IXBX50N360HV | IXGP30N60B2

 

 
Back to Top

 


 
.