Справочник IGBT. XP025PJE120AT1B2

 

XP025PJE120AT1B2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP025PJE120AT1B2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 153 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.24 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 145 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP025PJE120AT1B2

 

 

XP025PJE120AT1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:827K  cn xdm
 xp025pje120at1b2.pdf

XP025PJE120AT1B2 XP025PJE120AT1B2

XP025PJE120AT1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit

Другие IGBT... XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , IRG7S313U , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD .

 

 
Back to Top