XP025PJE120AT1B2 - аналоги и описание IGBT

 

XP025PJE120AT1B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XP025PJE120AT1B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 153 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.24 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 145 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP025PJE120AT1B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP025PJE120AT1B2 даташит

 0.1. Size:827K  cn xdm
 xp025pje120at1b2.pdf pdf_icon

XP025PJE120AT1B2

XP025PJE120AT1B2 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features Trench+ Field Stop Technology 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching Losses Applications Frequency Coverters Motor Drives Auxiliary Inverters Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions Values Unit

Другие IGBT... XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , BT60T60ANFK , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.