XP040PJE120AL1B2 Todos los transistores

 

XP040PJE120AL1B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XP040PJE120AL1B2

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 193 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40(100C) A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 48 nS

Encapsulados: MODULE

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XP040PJE120AL1B2 datasheet

 0.1. Size:841K  cn xdm
 xp040pje120al1b2.pdf pdf_icon

XP040PJE120AL1B2

XP040PJE120AL1B2 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features VCE=1200V IC=40A Low VCE(sat) VCEsat with positive temperature coefficient Applications The inverter Motor control and drives Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions Values Unit VCES Collector-Emitter Voltage Tvj=25

Otros transistores... XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , IRG4PF50W , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD .

History: STGW45NC60VD | SGP23N60UF | SII150N12 | STGWT40H65DFB | YGW40N120F2 | SGP15N60RUF | YGW15N120T3

 

 

 

 

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