XP040PJE120AL1B2 Todos los transistores

 

XP040PJE120AL1B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XP040PJE120AL1B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 193 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 48 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

XP040PJE120AL1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:841K  cn xdm
 xp040pje120al1b2.pdf pdf_icon

XP040PJE120AL1B2

XP040PJE120AL1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=40ALow VCE(sat)VCEsat with positive temperature coefficientApplications The inverter Motor control and drivesEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-Emitter Voltage Tvj=25

Otros transistores... XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , HGTG30N60A4 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD .

History: FD1000R17IE4D_B2 | IRG4PC30FPBF | NCE15TD135LT | IXYN120N65C3D1 | CM150RX-24S | APTLGF140U120T | IRGP4062-E

 

 
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