XP040PJE120AL1B2 Todos los transistores

 

XP040PJE120AL1B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XP040PJE120AL1B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 193 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 48 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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XP040PJE120AL1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:841K  cn xdm
 xp040pje120al1b2.pdf pdf_icon

XP040PJE120AL1B2

XP040PJE120AL1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=40ALow VCE(sat)VCEsat with positive temperature coefficientApplications The inverter Motor control and drivesEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-Emitter Voltage Tvj=25

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