XP040PJE120AL1B2 Todos los transistores

 

XP040PJE120AL1B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XP040PJE120AL1B2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 193 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.2(typ) V
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 48 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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XP040PJE120AL1B2 Datasheet (PDF)

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 xp040pje120al1b2.pdf pdf_icon

XP040PJE120AL1B2

XP040PJE120AL1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=40ALow VCE(sat)VCEsat with positive temperature coefficientApplications The inverter Motor control and drivesEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-Emitter Voltage Tvj=25

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: APT44GA60BD30

 

 
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