XP040PJE120AL1B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XP040PJE120AL1B2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 193
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40(100C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.83
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.2(typ)
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 48
Paquete / Cubierta: MODULE
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XP040PJE120AL1B2 Datasheet (PDF)
xp040pje120al1b2.pdf
XP040PJE120AL1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=40ALow VCE(sat)VCEsat with positive temperature coefficientApplications The inverter Motor control and drivesEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-Emitter Voltage Tvj=25
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Liste
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