Справочник IGBT. XP040PJE120AL1B2

 

XP040PJE120AL1B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP040PJE120AL1B2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 193 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.83 V @25℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для XP040PJE120AL1B2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP040PJE120AL1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:841K  cn xdm
 xp040pje120al1b2.pdf pdf_icon

XP040PJE120AL1B2

XP040PJE120AL1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=40ALow VCE(sat)VCEsat with positive temperature coefficientApplications The inverter Motor control and drivesEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-Emitter Voltage Tvj=25

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: TT075U065FBC | NTE3310 | IRGP4650D

 

 
Back to Top

 


 
.