XP040PJE120AL1B2 - аналоги и описание IGBT

 

XP040PJE120AL1B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XP040PJE120AL1B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 193 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40(100C) A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.83 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP040PJE120AL1B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP040PJE120AL1B2 даташит

 0.1. Size:841K  cn xdm
 xp040pje120al1b2.pdf pdf_icon

XP040PJE120AL1B2

XP040PJE120AL1B2 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features VCE=1200V IC=40A Low VCE(sat) VCEsat with positive temperature coefficient Applications The inverter Motor control and drives Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions Values Unit VCES Collector-Emitter Voltage Tvj=25

Другие IGBT... XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , IRG4PF50W , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD .

History: SRE50N065FSU | TA49014 | YGW40N120F2 | STGWA20M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.