XP050PCE120AT1E2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XP050PCE120AT1E2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 108
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50(100C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.07
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.7(typ)
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 34
Paquete / Cubierta: MODULE
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XP050PCE120AT1E2 Datasheet (PDF)
xp050pce120at1e2.pdf
XP050PCE120AT1E2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=50ALow VCE(sat) with Positive Temperature CoefficientTrench+ Field Stop TechnologyApplications The inverterMotor control and drivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values
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Liste
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