XP050PCE120AT1E2 Todos los transistores

 

XP050PCE120AT1E2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XP050PCE120AT1E2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 108 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.07 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7(typ) V
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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XP050PCE120AT1E2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:691K  cn xdm
 xp050pce120at1e2.pdf pdf_icon

XP050PCE120AT1E2

XP050PCE120AT1E2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=50ALow VCE(sat) with Positive Temperature CoefficientTrench+ Field Stop TechnologyApplications The inverterMotor control and drivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values

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History: 1MBI600V-120-50 | IXGN400N30A3 | IXGA15N120B2 | OST75N120HM2F

 

 
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