XP050PCE120AT1E2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XP050PCE120AT1E2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 108 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50(100C) A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.07 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS
Encapsulados: MODULE
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XP050PCE120AT1E2 datasheet
xp050pce120at1e2.pdf
XP050PCE120AT1E2 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features VCE=1200V IC=50A Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Trench+ Field Stop Technology Applications The inverter Motor control and drives Auxiliary Inverters Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions Values
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