Справочник IGBT. XP050PCE120AT1E2

 

XP050PCE120AT1E2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP050PCE120AT1E2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.07 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7(typ) V
   trⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP050PCE120AT1E2

 

 

XP050PCE120AT1E2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:691K  cn xdm
 xp050pce120at1e2.pdf

XP050PCE120AT1E2 XP050PCE120AT1E2

XP050PCE120AT1E2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=50ALow VCE(sat) with Positive Temperature CoefficientTrench+ Field Stop TechnologyApplications The inverterMotor control and drivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top