XP050PCE120AT1E2 - аналоги и описание IGBT

 

XP050PCE120AT1E2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XP050PCE120AT1E2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50(100C) A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.07 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP050PCE120AT1E2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP050PCE120AT1E2 даташит

 0.1. Size:691K  cn xdm
 xp050pce120at1e2.pdf pdf_icon

XP050PCE120AT1E2

XP050PCE120AT1E2 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features VCE=1200V IC=50A Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Trench+ Field Stop Technology Applications The inverter Motor control and drives Auxiliary Inverters Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions Values

Другие IGBT... XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , IRG4PC40W , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD .

History: SIG20N60P1A | SRE100N065FSU2D6 | XD075H065CX1S3 | TGAN40N135FD | SPT25N120T1T8TL | RJH60D5DPK | SGW5N60RUFD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.