Справочник IGBT. XP050PCE120AT1E2

 

XP050PCE120AT1E2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP050PCE120AT1E2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.07 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7(typ) V
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для XP050PCE120AT1E2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP050PCE120AT1E2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:691K  cn xdm
 xp050pce120at1e2.pdf pdf_icon

XP050PCE120AT1E2

XP050PCE120AT1E2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures VCE=1200V IC=50ALow VCE(sat) with Positive Temperature CoefficientTrench+ Field Stop TechnologyApplications The inverterMotor control and drivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values

Другие IGBT... XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , NGTB75N65FL2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD .

History: NGTB40N120L | NGTB50N65FL2 | IXGH120N30B3 | APT36GA60BD15 | IXGP48N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.