XP15PJS120CL1B1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XP15PJS120CL1B1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de XP15PJS120CL1B1 IGBT
XP15PJS120CL1B1 Datasheet (PDF)
xp15pjs120cl1b1.pdf
XP15PJS120CL1B1PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeaturesLow Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS)IGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions
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History: SKM195GAL124DN | FGB3040CS
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