XP15PJS120CL1B1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XP15PJS120CL1B1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 130
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 54
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 68
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de XP15PJS120CL1B1 - IGBT
XP15PJS120CL1B1 Datasheet (PDF)
xp15pjs120cl1b1.pdf
XP15PJS120CL1B1PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeaturesLow Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS)IGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions
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Liste
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