XP15PJS120CL1B1 Todos los transistores

 

XP15PJS120CL1B1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XP15PJS120CL1B1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

XP15PJS120CL1B1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1107K  cn xdm
xp15pjs120cl1b1.pdf pdf_icon

XP15PJS120CL1B1

XP15PJS120CL1B1PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeaturesLow Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS)IGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: STGW10M65DF2 | MMG100S120UA6TC | IKQ100N60TA | FD1000R33HE3-K | 6MBP50VAA060-50 | NGTB40N120L

 

 
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