XP15PJS120CL1B1 - аналоги и описание IGBT

 

XP15PJS120CL1B1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XP15PJS120CL1B1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP15PJS120CL1B1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP15PJS120CL1B1 даташит

 0.1. Size:1107K  cn xdm
 xp15pjs120cl1b1.pdf pdf_icon

XP15PJS120CL1B1

XP15PJS120CL1B1 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS) IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions

Другие IGBT... XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , FGW75N60HD , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD .

History: TT025N120FQ | NGTB30N65IHL2WG | SPT40N120T1BT8TL | SPT25N135F1AT8TL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.