Справочник IGBT. XP15PJS120CL1B1

 

XP15PJS120CL1B1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP15PJS120CL1B1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для XP15PJS120CL1B1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP15PJS120CL1B1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1107K  cn xdm
 xp15pjs120cl1b1.pdf pdf_icon

XP15PJS120CL1B1

XP15PJS120CL1B1PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeaturesLow Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS)IGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions

Другие IGBT... XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , HGTG30N60A4 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD .

 

 
Back to Top

 


 
.