XP15PJS120CL1B1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: XP15PJS120CL1B1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам