SGM100HF12A1TFD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM100HF12A1TFD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100(80C) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 186 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1835 pF
Encapsulados: MODULE
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SGM100HF12A1TFD datasheet
sgm100hf12a3tfd.pdf
SGM100HF12A3TFD 100A 1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A 1200V VCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC
Otros transistores... XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , IRGB20B60PD1 , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD .
History: TT025N120FQ | NGTB30N65IHL2WG | SPT25N135F1AT8TL | SPT40N120T1BT8TL
History: TT025N120FQ | NGTB30N65IHL2WG | SPT25N135F1AT8TL | SPT40N120T1BT8TL
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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