SGM100HF12A1TFD Todos los transistores

 

SGM100HF12A1TFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGM100HF12A1TFD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100(80C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 186 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1835 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGM100HF12A1TFD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:669K  silan
 sgm100hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM100HF12A1TFD

SGM100HF12A1TFDT4 100A1200V IGBT SGM100HF12A1TFDT4 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC

 0.2. Size:403K  silan
 sgm100hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM100HF12A1TFD

SGM100HF12A1TFD 100A, 1200V IGBT 0B SGM100HF12A1TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC

 3.1. Size:388K  silan
 sgm100hf12a3tfd.pdf pdf_icon

SGM100HF12A1TFD

SGM100HF12A3TFD 100A1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC

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History: AUIRGS4062D1 | SGM50PA12A6BTFD | IXGP12N100

 

 
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