SGM100HF12A1TFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM100HF12A1TFD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100(80C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 125
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 186
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 1835
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 743
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SGM100HF12A1TFD - IGBT
SGM100HF12A1TFD Datasheet (PDF)
sgm100hf12a1tfdt4.pdf
SGM100HF12A1TFDT4 100A1200V IGBT SGM100HF12A1TFDT4 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC
sgm100hf12a1tfd.pdf
SGM100HF12A1TFD 100A, 1200V IGBT 0B SGM100HF12A1TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC
sgm100hf12a3tfd.pdf
SGM100HF12A3TFD 100A1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC
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Liste
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