SGM100HF12A1TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM100HF12A1TFD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100(80C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 186 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1835 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGM100HF12A1TFD Datasheet (PDF)
sgm100hf12a1tfdt4.pdf
SGM100HF12A1TFDT4 100A1200V IGBT SGM100HF12A1TFDT4 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC
sgm100hf12a1tfd.pdf
SGM100HF12A1TFD 100A, 1200V IGBT 0B SGM100HF12A1TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC
sgm100hf12a3tfd.pdf
SGM100HF12A3TFD 100A1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC
Другие IGBT... XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , RJH60F7BDPQ-A0 , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD .
History: 2N6975 | IXSN35N120AU1 | NCE50ED120VTP | IXBF20N300 | MSG15T120FPE | SGS6N60UF | IRG4BC30F
History: 2N6975 | IXSN35N120AU1 | NCE50ED120VTP | IXBF20N300 | MSG15T120FPE | SGS6N60UF | IRG4BC30F
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033